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　　鈦圓靶的主要性能要求：
　　一、純度
　　純度是靶材的主要性能指標之一，因為靶材的純度對薄膜的性能有很大的影響。但在實際應用中，靶材的純度要求不盡相同。隨著微電子工業的發展，硅片的尺寸由6英寸、8英寸發展到12英寸，而布線寬度由0.5um減小到0.25um、0.18um甚至0.13um。以前，99.995%的目標純度可以符合0.35um IC的工藝要求，而0.18um線的制備則需要的目標純度還要高。
　　二、雜質含量
　　雜質含量目標固體中的雜質和孔隙中的氧、水蒸氣是主要的污染源。不同的鈦圓靶對不同的雜質含量有不同的要求。例如，半導體工業用純鋁和鋁合金靶材對堿金屬含量和放射性元素含量有其它要求。